Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W

1.39/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1852742
Код:SIRA14DP-T1-GE3
Артикул:SIRA14DP-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
2480
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Case:PowerPAK® SO8
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Drain-source voltage:30V
Drain current:46A
On-state resistance:8.5mΩ
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:20W
Polarisation:unipolar
Gate charge:29nC
Technology:TrenchFET®
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:-16...20V
Pulsed drain current:130A
Mounting:SMD
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста