Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A

0.67/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1852772
Код:SI2356DS-T1-GE3
Артикул:SI2356DS-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
5806
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Case:SOT23
Mounting:SMD
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Technology:TrenchFET®
Gate-source voltage:±12V
Pulsed drain current:20A
Drain-source voltage:40V
Drain current:4.3A
On-state resistance:70mΩ
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:1.7W
Polarisation:unipolar
Gate charge:13nC
Kind of channel:enhanced
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста